Transistor bipolar 2SD1380-R

Características del transistor 2SD1380-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 180 a 390
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD1380-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1380-R puede tener una ganancia de corriente de 180 a 390. La ganancia del 2SD1380 estará en el rango de 82 a 390, para el 2SD1380-P estará en el rango de 82 a 180, para el 2SD1380-Q estará en el rango de 120 a 270.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1380-R puede estar marcado sólo como "D1380-R".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1380-R es el 2SB1009-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1380-R

Puede sustituir el 2SD1380-R por el 2SC2270, 2SC3420, 2SD1348, 2SD1682, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BDX35, BDX36, MJE222, MJE225, MJE521 o MJE521G.
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