Transistor bipolar 2SD1380-Q

Características del transistor 2SD1380-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 32 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 270
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD1380-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1380-Q puede tener una ganancia de corriente de 120 a 270. La ganancia del 2SD1380 estará en el rango de 82 a 390, para el 2SD1380-P estará en el rango de 82 a 180, para el 2SD1380-R estará en el rango de 180 a 390.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1380-Q puede estar marcado sólo como "D1380-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1380-Q es el 2SB1009-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1380-Q

Puede sustituir el 2SD1380-Q por el 2SC1162, 2SD1348, 2SD1682, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, 2SD794, 2SD794A, BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD375, BD377, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794A, MJE222, MJE225, MJE521 o MJE521G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com