Transistor bipolar 2SD1252-R

Características del transistor 2SD1252-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 90
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252

Diagrama de pines del 2SD1252-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1252-R puede tener una ganancia de corriente de 40 a 90. La ganancia del 2SD1252 estará en el rango de 40 a 250, para el 2SD1252-P estará en el rango de 120 a 250, para el 2SD1252-Q estará en el rango de 70 a 150.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1252-R puede estar marcado sólo como "D1252-R".

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1252-R

Puede sustituir el 2SD1252-R por el 2SD1252A, 2SD1252A-R, 2SD1253, 2SD1253-R, 2SD1253A, 2SD1253A-R, MJD3055, MJD3055G, MJD3055T4 o MJD3055T4G.
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