Transistor bipolar MJD3055

Características del transistor MJD3055

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 70 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Diagrama de pines del MJD3055

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD3055 está marcado como "J3055".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJD3055 es el MJD2955.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD3055

Puede sustituir el MJD3055 por el MJD3055G, MJD3055T4 o MJD3055T4G.

Versión sin plomo

El transistor MJD3055G es la versión sin plomo del MJD3055.
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