Transistor bipolar 2SC1009G

Características del transistor 2SC1009G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.8 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2SC1009G

El 2SC1009G se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SC1009G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SC1009 estará en el rango de 40 a 400, para el 2SC1009O estará en el rango de 70 a 140, para el 2SC1009R estará en el rango de 40 a 80, para el 2SC1009Y estará en el rango de 120 a 240.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SC1009G puede estar marcado sólo como "C1009G".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SC1009G es el 2SA709G.

Transistor 2SC1009G en envase TO-92

El KSC1009G es la versión TO-92 del 2SC1009G.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SC1009G

Puede sustituir el 2SC1009G por el KSC1009 o KSC1009G.
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