Transistor bipolar 2SA709G

Características del transistor 2SA709G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.8 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2SA709G

El 2SA709G se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA709G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SA709 estará en el rango de 40 a 400, para el 2SA709O estará en el rango de 70 a 140, para el 2SA709R estará en el rango de 40 a 80, para el 2SA709Y estará en el rango de 120 a 240.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA709G puede estar marcado sólo como "A709G".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA709G es el 2SC1009G.

Transistor 2SA709G en envase TO-92

El KSA709G es la versión TO-92 del 2SA709G.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA709G

Puede sustituir el 2SA709G por el KSA709 o KSA709G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com