Transistor bipolar 2SA709G
Características del transistor 2SA709G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -8 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.8 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
- Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-92
Diagrama de pines del 2SA709G
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Transistor 2SA709G en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SA709G
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