Transistor bipolar 2SB929-P
Características del transistor 2SB929-P
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 250
- Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-252
Diagrama de pines del 2SB929-P
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor 2SB929-P
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB929-P
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com