Transistor bipolar 2SB861

Características del transistor 2SB861

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 200
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -45 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB861

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB861 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 200. La ganancia del 2SB861B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB861C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB861 puede estar marcado sólo como "B861".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB861 es el 2SD1138.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB861

Puede sustituir el 2SB861 por el 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SB546, 2SB546A, 2SB547, 2SB630, 2SB940, 2SB940A, KSB546, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 o MJF15031G.
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