Transistor bipolar 2SB806-KP

Características del transistor 2SB806-KP

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 75 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB806-KP

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB806-KP puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del 2SB806 estará en el rango de 90 a 400, para el 2SB806-KQ estará en el rango de 135 a 270, para el 2SB806-KR estará en el rango de 90 a 180.

Marcado

El transistor 2SB806-KP está marcado como "KP".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB806-KP es el 2SD1007-HP.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB806-KP

Puede sustituir el 2SB806-KP por el 2SD1007, 2SD1007-HP o PBHV9115X.
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