Transistor bipolar 2SB766-R

Características del transistor 2SB766-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB766-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB766-R puede tener una ganancia de corriente de 120 a 240. La ganancia del 2SB766 estará en el rango de 85 a 340, para el 2SB766-Q estará en el rango de 85 a 170, para el 2SB766-S estará en el rango de 170 a 340.

Marcado

El transistor 2SB766-R está marcado como "AR".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB766-R es el 2SD874-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB766-R

Puede sustituir el 2SB766-R por el 2DA1213, 2DA1213Y, 2SA1203, 2SA1213, 2SA1213-Y, 2SB1121, 2SB1122, 2SB1123, 2SB1124, 2SB766A, 2SB766A-R, 2STF2550, BCX51, BCX51-16 o KTA1663.
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