Transistor bipolar 2SB755-O

Características del transistor 2SB755-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 120 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: MT-200

Diagrama de pines del 2SB755-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB755-O puede tener una ganancia de corriente de 80 a 160. La ganancia del 2SB755 estará en el rango de 55 a 160, para el 2SB755-R estará en el rango de 55 a 110.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB755-O puede estar marcado sólo como "B755-O".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB755-O es el 2SD845-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB755-O

Puede sustituir el 2SB755-O por el 2SA1076, 2SA1095, 2SA1095-O, 2SA1169, 2SA1187, 2SA1215, 2SA1216, 2SA1493 o 2SA1494.
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