Transistor bipolar 2SB755

Características del transistor 2SB755

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 120 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 55 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: MT-200

Diagrama de pines del 2SB755

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB755 puede tener una ganancia de corriente de 55 a 160. La ganancia del 2SB755-O estará en el rango de 80 a 160, para el 2SB755-R estará en el rango de 55 a 110.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB755 puede estar marcado sólo como "B755".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB755 es el 2SD845.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB755

Puede sustituir el 2SB755 por el 2SA1095, 2SA1169, 2SA1187, 2SA1215, 2SA1216, 2SA1493 o 2SA1494.
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