Transistor bipolar 2SB647D

Características del transistor 2SB647D

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SB647D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB647D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del 2SB647 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB647B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB647C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB647D puede estar marcado sólo como "B647D".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB647D es el 2SD667D.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB647D

Puede sustituir el 2SB647D por el 2SA1275, 2SA1275-Y, KSA1013, KSA1013Y, KTA1275, KTA1275Y o NTE383.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com