Transistor bipolar 2SB555-R

Características del transistor 2SB555-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 6 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB555-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB555-R puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del 2SB555 estará en el rango de 40 a 140, para el 2SB555-O estará en el rango de 70 a 140.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB555-R puede estar marcado sólo como "B555-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB555-R es el 2SD425-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB555-R

Puede sustituir el 2SB555-R por el 2SA908, 2SA909, 2SB552, 2SB552-R, 2SB554, 2SB554-R, 2SB697, 2SB697-C, 2SB697K, 2SB697K-C, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 o MJ15004G.
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