Transistor bipolar 2SA636A-N

Características del transistor 2SA636A-N

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -70 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 60
  • Frecuencia máxima de trabajo: 45 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-202

Diagrama de pines del 2SA636A-N

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA636A-N puede tener una ganancia de corriente de 40 a 60. La ganancia del 2SA636A estará en el rango de 40 a 250, para el 2SA636A-K estará en el rango de 120 a 250, para el 2SA636A-L estará en el rango de 80 a 160, para el 2SA636A-M estará en el rango de 50 a 100.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA636A-N puede estar marcado sólo como "A636A-N".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA636A-N es el 2SC1098A-N.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com