Transistor bipolar 2SA636A-L

Características del transistor 2SA636A-L

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -70 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 45 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-202

Diagrama de pines del 2SA636A-L

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SA636A-L puede tener una ganancia de corriente de 80 a 160. La ganancia del 2SA636A estará en el rango de 40 a 250, para el 2SA636A-K estará en el rango de 120 a 250, para el 2SA636A-M estará en el rango de 50 a 100, para el 2SA636A-N estará en el rango de 40 a 60.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SA636A-L puede estar marcado sólo como "A636A-L".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SA636A-L es el 2SC1098A-L.
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