Transistor bipolar 2SA636A-L
Características del transistor 2SA636A-L
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -70 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 10 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 160
- Frecuencia máxima de trabajo: 45 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-202
Diagrama de pines del 2SA636A-L
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
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