Bipolartransistor FMMT555
Elektrische Eigenschaften des Transistors FMMT555
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 0.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 300
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular ZTX555 transistor
Pinbelegung des FMMT555
Komplementärer NPN-Transistor
Transistor FMMT555 im TO-92-Gehäuse
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