Bipolartransistor FMMT555

Elektrische Eigenschaften des Transistors FMMT555

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular ZTX555 transistor

Pinbelegung des FMMT555

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FMMT555 ist der FMMT455.

Transistor FMMT555 im TO-92-Gehäuse

Der ZTX555 ist die TO-92-Version des FMMT555.
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