Bipolartransistor ZTX457

Elektrische Eigenschaften des Transistors ZTX457

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des ZTX457

Der ZTX457 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum ZTX457 ist der ZTX557.

SMD-Version des Transistors ZTX457

Der KST42 (SOT-23), MMBTA42 (SOT-23) und PZTA42 (SOT-223) ist die SMD-Version des ZTX457-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor ZTX457

Sie können den Transistor ZTX457 durch einen KSP42, MPSA42, MPSW42 oder MPSW42G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com