Bipolartransistor MPSW42G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSW42G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Der MPSW42G ist die bleifreie Version des MPSW42-Transistors

Pinbelegung des MPSW42G

Der MPSW42G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MPSW42G ist der MPSW92G.

SMD-Version des Transistors MPSW42G

Der KST42 (SOT-23), MMBTA42 (SOT-23) und PZTA42 (SOT-223) ist die SMD-Version des MPSW42G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MPSW42G

Sie können den Transistor MPSW42G durch einen 2N6516, KSP42, MPSA42, MPSW42 oder ZTX457 ersetzen.
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