Bipolartransistor TIP3055G

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP3055G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247
  • Electrically Similar to the Popular 2N3055G transistor
  • Der TIP3055G ist die bleifreie Version des TIP3055-Transistors

Pinbelegung des TIP3055G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP3055G ist der TIP2955G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP3055G

Sie können den Transistor TIP3055G durch einen BD745A, BD745B, BD745C, NTE392, TIP3055, TIP35A, TIP35AG, TIP35B, TIP35BG, TIP35C, TIP35CA oder TIP35CG ersetzen.
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