Bipolartransistor TIP3055G
Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP3055G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 90 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
- Electrically Similar to the Popular 2N3055G transistor
- Der TIP3055G ist die bleifreie Version des TIP3055-Transistors
Pinbelegung des TIP3055G
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP3055G
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