Bipolartransistor STD03P

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD03P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 160 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P-5WO2

Pinbelegung des STD03P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD03P kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD03P-O liegt im Bereich von 5000 bis 12000, die des STD03P-Y im Bereich von 8000 bis 20000.

Equivalent circuit

STD03P equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum STD03P ist der STD03N.
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