Bipolartransistor STD03N
Elektrische Eigenschaften des Transistors STD03N
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 160 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P-5WO4
Pinbelegung des STD03N
Klassifizierung von hFE
Equivalent circuit
Komplementärer PNP-Transistor
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