Bipolartransistor PBHV8115X

Elektrische Eigenschaften des Transistors PBHV8115X

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.52 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des PBHV8115X

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der PBHV8115X-Transistor ist als "4F" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum PBHV8115X ist der PBHV9115X.
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