Bipolartransistor NJW3281G

Elektrische Eigenschaften des Transistors NJW3281G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 75 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P
  • Der NJW3281G ist die bleifreie Version des NJW3281-Transistors

Pinbelegung des NJW3281G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NJW3281G ist der NJW1302G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NJW3281G

Sie können den Transistor NJW3281G durch einen 2SC3320, 2SC5242, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, MJL0281A, MJL0281AG, MJL3281A, MJL3281AG, MJW0281A, MJW0281AG, NJW0281, NJW0281G oder NJW3281 ersetzen.
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