Bipolartransistor NJW3281G
Elektrische Eigenschaften des Transistors NJW3281G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 75 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
- Der NJW3281G ist die bleifreie Version des NJW3281-Transistors
Pinbelegung des NJW3281G
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor NJW3281G
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com