Bipolartransistor MPSA65

Elektrische Eigenschaften des Transistors MPSA65

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50000
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des MPSA65

Der MPSA65 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors MPSA65

Der MMBTA65 (SOT-23) und PZTA65 (SOT-223) ist die SMD-Version des MPSA65-Transistors.
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