Bipolartransistor MPS6561

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 20 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der MPS6561 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS6561 ist der MPS6563.Sie können den Transistor MPS6561 durch einen MPS3706, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602 oder MPS6602G ersetzen.