Bipolartransistor MMBT6429

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT6429

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 55 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 500 bis 1250
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des MMBT6429

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT6429

Sie können den Transistor MMBT6429 durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 oder SMBTA06 ersetzen.
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