Bipolartransistor MMBT6427
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT6427
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 12 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20000 bis 200000
- Rauschzahl, max: 3 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des MMBT6427
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT6427
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