Bipolartransistor MJD3055T4G

Elektrische Eigenschaften des Transistors

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0 A
  • Verlustleistung, max: 0 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe):
  • Gehäuse:

Pinbelegung des

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der -Transistor ist als "J3055G" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor

Sie können den Transistor durch einen MJD3055, MJD3055G oder MJD3055T4 ersetzen.
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