Bipolartransistor MJD3055T4

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MJD3055T4-Transistor ist als "J3055" gekennzeichnet.Sie können den Transistor MJD3055T4 durch einen MJD3055, MJD3055G oder MJD3055T4G ersetzen.