Bipolartransistor MJD2955T4G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD2955T4G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-252
- Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
- Der MJD2955T4G ist die bleifreie Version des MJD2955T4-Transistors
Pinbelegung des MJD2955T4G
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD2955T4G
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