Bipolartransistor MJD2955

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD2955

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor

Pinbelegung des MJD2955

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD2955-Transistor ist als "J2955" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJD2955 ist der MJD3055.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD2955

Sie können den Transistor MJD2955 durch einen MJD2955G, MJD2955T4 oder MJD2955T4G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJD2955G-Transistor ist die bleifreie Version des MJD2955.
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