Bipolartransistor MJD122T4G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD122T4G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 12000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor
  • Der MJD122T4G ist die bleifreie Version des MJD122T4-Transistors

Pinbelegung des MJD122T4G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD122T4G-Transistor ist als "J122G" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD122T4G

Sie können den Transistor MJD122T4G durch einen MJD122, MJD122G oder MJD122T4 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com