Bipolartransistor MJD122T4

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJD122T4

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 12000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular TIP122 transistor

Pinbelegung des MJD122T4

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MJD122T4-Transistor ist als "J122" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJD122T4

Sie können den Transistor MJD122T4 durch einen MJD122, MJD122G oder MJD122T4G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJD122T4G-Transistor ist die bleifreie Version des MJD122T4.
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