Bipolartransistor MJ10000
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ10000
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 450 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
- Verlustleistung, max: 175 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 600
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des MJ10000
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ10000
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