Bipolartransistor MJ10000

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ10000

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 450 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 600
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ10000

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ10000

Sie können den Transistor MJ10000 durch einen MJ10001 ersetzen.
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