Bipolartransistor KTC4375O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC4375O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des KTC4375O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC4375O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC4375 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des KTC4375Y im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Der KTC4375O-Transistor ist als "GO" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC4375O ist der KTA1663O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC4375O

Sie können den Transistor KTC4375O durch einen 2SC2873, 2SD1623, 2SD1623-R, 2SD1624 oder 2SD1624-R ersetzen.
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