Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC5019-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 600
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC5019-P
Der KSC5019-P wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC5019-P kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC5019 liegt im Bereich von 140 bis 600, die des KSC5019-L im Bereich von 140 bis 240, die des KSC5019-M im Bereich von 200 bis 330, die des KSC5019-N im Bereich von 300 bis 450.
SMD-Version des Transistors KSC5019-P
Der 2STR1230 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC5019-P-Transistors.
