Bipolartransistor KSA1625-M

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA1625-M

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1625-M transistor

Pinbelegung des KSA1625-M

Der KSA1625-M wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA1625-M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA1625 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSA1625-K im Bereich von 100 bis 200, die des KSA1625-L im Bereich von 60 bis 120.

Transistor KSA1625-M im TO-92-Gehäuse

Der 2SA1625-M ist die TO-92-Version des KSA1625-M.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA1625-M

Sie können den Transistor KSA1625-M durch einen 2SA1625 oder 2SA1625-M ersetzen.
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