Bipolartransistor BST40
Elektrische Eigenschaften des Transistors BST40
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
- Verlustleistung, max: 1.3 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 0 bis 40
- Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des BST40
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
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