Bipolartransistor BST40

Elektrische Eigenschaften des Transistors BST40

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 1.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 0 bis 40
  • Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des BST40

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BST40-Transistor ist als "AT2" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BST40 ist der BST16.
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