Bipolartransistor BST16

Elektrische Eigenschaften des Transistors BST16

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
  • Verlustleistung, max: 1.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des BST16

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BST16 ist der BST40.
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