Bipolartransistor BDV67
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDV67
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des BDV67
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDV67
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com