Bipolartransistor BD249A
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD249A
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
- Verlustleistung, max: 125 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 25
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des BD249A
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD249A
Equivalent
- TO-220 package, BD244B: 65 watts
- TO-3P package, BD245A: 80 watts
- TO-3P package, BD246: 80 watts
- TO-3P package, BD246C: 80 watts
- TO-3P package, BD250B: 125 watts
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