Bipolartransistor BCV27

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCV27

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10000
  • Übergangsfrequenz, min: 220 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCV27

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BCV27-Transistor ist als "FD" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCV27 ist der BCV26.
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