Bipolartransistor BC377-7

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC377-7

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.375 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 125 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC377-7

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC377-7 kann eine Gleichstromverstärkung von 125 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC377 liegt im Bereich von 75 bis 260, die des BC377-6 im Bereich von 75 bis 150.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC377-7 ist der BC297-7.

SMD-Version des Transistors BC377-7

Der 2SD1622 (SOT-89), 2SD874A (SOT-89) und 2SD874A-R (SOT-89) ist die SMD-Version des BC377-7-Transistors.
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