Bipolartransistor 2SD965R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 340 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SD965R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD965R kann eine Gleichstromverstärkung von 340 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD965 liegt im Bereich von 230 bis 600, die des 2SD965Q im Bereich von 230 bis 380.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD965R-Transistor könnte nur mit "D965R" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD965R durch einen KTD1146 ersetzen.