Bipolartransistor 2SD877

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-66

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD877 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD877-GR liegt im Bereich von 150 bis 300, die des 2SD877-O im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD877-Y im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD877-Transistor könnte nur mit "D877" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD877 ist der 2SB502A.Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD877-Transistors.Sie können den Transistor 2SD877 durch einen 2SC1113 ersetzen.