Bipolartransistor 2SC1113

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1113

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2SC1113

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1113-Transistor könnte nur mit "C1113" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SC1113

Der BDP953 (SOT-223) und BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SC1113-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1113

Sie können den Transistor 2SC1113 durch einen 2N5429 oder 2N5430 ersetzen.
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