Bipolartransistor 2SD867
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD867
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 110 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 100 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 200
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SD867
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD867
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