Bipolartransistor 2SD826-G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 280 bis 560
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD826-G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD826 liegt im Bereich von 120 bis 560, die des 2SD826-E im Bereich von 120 bis 200, die des 2SD826-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD826-G-Transistor könnte nur mit "D826-G" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD826-G durch einen 2SC3420, 2SC6101, 2SC6102, 2SD1685 oder 2SD1685-G ersetzen.