Bipolartransistor 2SD826-F

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD826-F

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD826-F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD826-F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD826 liegt im Bereich von 120 bis 560, die des 2SD826-E im Bereich von 120 bis 200, die des 2SD826-G im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD826-F-Transistor könnte nur mit "D826-F" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD826-F

Sie können den Transistor 2SD826-F durch einen 2SC2270, 2SC3420, 2SD1685 oder 2SD1685-f ersetzen.
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